俄罗斯已经制定了一份“路线图”,计划开发一种更便宜、更高效的光刻设备,用于生产现代化芯片,这种设备将优于目前由荷兰ASML企业垄断市场的光刻机。根据俄罗斯科学院微结构物理研究所(ИФМ РАН)科研人员尼古拉·奇哈洛的“高性能X射线光刻发展新概念”,俄罗斯选择不完全复制ASML的技术路线,而是开发工作波长为11.2纳米的新型光刻设备,以降低研发成本并简化制造流程。
创新理念
俄罗斯的这一创新性概念预计将减少设备体积和制造复杂性,同时降低生产与运营成本。例如,波长从13.5纳米缩短到11.2纳米后,设备的分辨能力将提升20%。此外,俄方计划用氙代替锡作为激光等离子光源,这将显著减少光学元件的污染,并延长昂贵零部件如反射镜和保护膜的使用寿命。
这种改进还可能带来材料上的创新,例如采用含硅光刻胶以提升11.2纳米波长下的加工效率。尽管如此,新设备的生产能力与ASML的旗舰机型相比仍略显不足,但在小规模芯片生产中依然具有实用性。
俄罗斯光刻机与现有ASML光刻机的特性对比
如表所示,在激光平均功率为3.6千瓦的情况下,预期在11.2纳米波长下的生产率将比ASML光刻机低约2.7倍。
“对于产品市场规模小于前五大企业的工厂而言,这个数值完全足够。
研发计划分三阶段推进
1. 第一阶段:技术突破
- 进行科学研究与工程设计,解决关键技术难题。 - 制定合作框架和设备清单,为后续阶段奠定基础。
2. 第二阶段:实验验证
- 制造用于测试的实验性光刻设备。 - 集成高效多镜头投影系统和多千瓦激光器,用于200/300毫米晶圆的工艺测试。
3.第三阶段:产业化
- 开发适合工业应用的高性能光刻设备,计划量产直径300毫米晶圆的设备,生产能力超每小时60片。 研发背景与经济意义
由于西方制裁,俄罗斯难以获得国外先进光刻设备,这加剧了国内自主研发的重要性。计划中的光刻设备将使俄罗斯实现技术主权,并为中小型芯片制造商提供更具成本效益的选择。
尽管挑战重重,包括资金不足和人才匮乏,俄罗斯决心通过创新路线图来突破目前的困局,并希翼在2028年前完成研发工作。未来,这些设备或许还能出口至其他非顶级芯片制造商,为全球芯片生产提供新选择。
来源:EETOP综合编译自cnews
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