[转帖]飞利浦第五代LDMOS突破WCDMA基站效率瓶颈

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计世网消息 皇家飞利浦电子企业近日宣布其LDMOS(Lateral Diffused Medal-Oxide-Semiconductor，横向扩散金属氧化物半导体)技术获得重大进展，这项技术将使WCDMA基站制造商突破RF功率放大器输出级30%的效率瓶颈。可提供更先进的多媒体和数据服务的WCDMA蜂窝基础设施需要高效率基站放大器，这对WCDMA固有的低效能系统提出了挑战。

　　飞利浦下一代LDMOS生产的RF功率晶体管只有0.4-μm，四层金属镀膜，实现了射频输出功率效率超过30%的高增益与优良线性的独特组合，带来了高运行效率。这种产品是基于飞利浦企业先进的0.14-um CMOS megafab生产线制造的。

　　该项技术可广泛运用于从800MHz到2.2GHz的全部频段，除了在WCDMA系统中的优势以外，飞利浦第五代LDMOS器件所具备的高增益(17dB)和高效率使他们同样适用于在亚洲部署的1GHz和2GHz GSM/EDGE和CDMA基站中更高性能的RF功率放大器。

　　与现今的LDMOS技术相比，由于有高效率的RF功率输出，飞利浦第五代的LDMOS技术使WCDMA的运行效率提高了4个百分点。为WCDMA基站配置这种技术的相应产品，RF功率放大器能够节能15%还多，降低了运营成本，减少了热能损失，并降低了机身温度。

　　飞利浦半导体LDMOS RF功率器件市场营销经理Rick Dumont说：“这项新技术可以为RF功率放大器的设计和运营带来极大的好处。飞利浦的LDMOS是在极短的时限内实现的重大突破，代表了现有基站LDMOS RF功率技术的最佳性能，它更巩固了飞利浦作为世界RF半导体功率产品领先供应商的地位。”

　　第五代LDMOS晶体管所用的铝-铜金属镀膜替代了飞利浦前几代产品所使用的金镀膜，却保持了相同水平的可靠性。与其他厂商的产品所使用的双层铝镀膜相比，这种极宽、厚的铝铜金属镀膜实现了四倍的可靠性并降低了晶体管的寄生产物。

　　因为这种加强的可靠性，设计师可以让飞利浦第五代LDMOS晶体管的接点在温度高于传统器件25K(开尔文度)以上仍能运行，寄生产物的降低增强了RF性能，高节点运行温度和小于0.5K/W(开/瓦)的低节点-外壳热阻使得基站放大器可使用体积更小、成本更低的散热器，第五代LDMOS高于17dB的高增益也使驱动级的能耗和线路复杂性达到最小化。

　　飞利浦是首家将0.4-μRF晶体管技术投入批量生产的厂商。企业的第一款产品针对的是UMTS和2-GHz PCS/DCS频带，如BLF5G22-100就是一款增益为17dB的WCDMA晶体管，其ACLR5达到-39dBc, 在平均输出功率26W时，运行效率为30%，峰值输出功率超过160W(上述数据均针对双载波WCDMA运行，10MHz间隔，在CCDF上0.01%概率时PAR为8.5dB)。