SAMSUNG12nm DRAM良率不足五成

gythy1978

6月12日消息，据韩国媒体报道，SAMSUNG12nm级DRAM内存良率仍不足五成。这一数据远低于80~90%的业界一般目标，SAMSUNG已于上月就此成立专门工作组应对。

据悉，SAMSUNG电子于 2023 年 5 月宣布 16Gb 版 12nm 级 DDR5 内存开始量产，后又于 2023 年 9 月宣布 12nm 级 32Gb DDR5 内存开发成功。

32Gb 的颗粒容量意味着SAMSUNG可在不使用 TSV 工艺的情况下就能生产 128GB 容量的高密度 DDR5 RDIMM 内存条。

相比采用 TSV 的 3DS DIMM 内存，这种常规内存条功耗减少 10%，制造成本也显著降低。

因此，12nm 级制程的 32Gb DDR5 内存颗粒被SAMSUNG电子视为未来的主力产品。此番成立专门工作组旨在迅速提升良率。

SAMSUNG电子还决定积极扩大 12nm 级 DRAM 的产量，未来华城 15 和平泽 P2 晶圆厂将成为这一产品的主要生产基地。后者目前主要生产 1z nm 内存，将进行工艺升级。

SAMSUNG电子计划将 12nm 级 DRAM 的产能从目前的每月 4 万片晶圆扩张到三季度的 7 万片和四季度的 10 万片，明年则将进一步提升至每月 20 万片晶圆。