涉嫌向韩国泄露国产存储相关信息，SAMSUNG前员工被中国警方逮捕！

PH值

芯智讯

据《朝鲜日报》、朝中社等媒体报道，韩国驻华大使馆于10月28日表示，一名50岁韩国男子A某因涉嫌“向韩国泄露中国半导体信息”，被以“间谍罪”于去年12月被中国警方拘留。这是自去年 7 月中国修订的《反间谍法》生效以来，第一起根据该法逮捕韩国人的案件。

报道称，A某现居安徽省合肥市，在当地一家半导体企业工作，与妻子和两个女儿一起生活。其曾就职于SAMSUNG电子半导体部门担任离子注入技术员二十余年，2016年开始移居中国，并加入了加入了中国最大的DRAM内存芯片制造商CXMT，当时该企业首次招募了10 名韩国半导体专业人员。随后他在离开长鑫存储后，又相继在另外两家中国半导体企业任职。

2023年12月18日，合肥市国家安全局的调查人员以“间谍罪”逮捕了A先生，并在当地一家酒店被隔离审讯了5个多月，随后于2024年5月被检察机关移送拘留。自5月26日起，他一直被关押在合肥市的某拘留中心，预计将于2024年11月正式受审。

合肥市国家安全局怀疑A某在CXMT工作期间向韩国泄露了长鑫存储的半导体相关信息。A某则坚称自己在中国没有接触过任何核心半导体技术。

资料显示，中国新修订的《反间谍法》已于2023年7月生效，修订后的《反间谍法》将间谍行为的范围从“窃取国家机密和信息”扩大到包括转移任何与“国家安全和利益”有关的文件、数据、材料和物品的条款，即使它们不属于国家机密。

如果A某在后续审判中被判入狱，他将成为首位根据中国《反间谍法》受到处罚的韩国人。鉴于自 2014 年中国《反间谍法》首次颁布以来，尚未有韩国人根据该法被定罪。不过，在中国间谍罪的审判通常需要数年时间，具体的刑期达到3-10年或更长时间也并不罕见。

韩国驻华大使馆一名官员表示，“自今年 1 月得知 A 先生被拘留以来，大家一直在向他和他的家人提供领事协助。”

中国外交部发言人林剑于10月29日在例行记者会上回应称，一名韩国公民因涉嫌“间谍罪”被中国有关机构逮捕，相关内容已向韩国驻华大使馆进行领事通报，并向大使馆员工提供了工作上必要的协助。

林剑强调，中国作为法治国家，依法查处违法犯罪活动，同时保障当事人的各项合法权利。

值得注意的是，据韩国媒体2023年12月报道，韩国检察院以涉嫌违反韩国《防止和保护工业技术泄露法》将两名从中国返回韩国的前SAMSUNG电子员工逮捕，指控他们涉嫌向中国厂商泄露了SAMSUNG16nm DRAM技术机密。在另一起案件当中，SAMSUNG和SK海力士前高管崔某被指控涉嫌试图利用窃取的SAMSUNGDRAM技术在中国建厂而被捕。

今年10月初，韩国政府还推出了最新一揽子措施，以发现和惩罚向外国厂商“泄露”关键技术的行为。数据显示，今年以来，韩国国家警察厅登记的 12 起此类案件中，有 10 起的目的地是中国。

首尔国立大学贸易专家李在民表示：“中韩在芯片领域的竞争正在加剧。尽管SAMSUNG和 SK 海力士等韩国企业在先进存储芯片领域仍保持着对中国的技术优势，但差距正在缩小。大家可能会看到更多涉及这两个国家的此类工业间谍案件，特别是在高科技领域，因为他们都将半导体视为国家安全的关键行业。”