低MOS的测试分析办法小结

snsteven

在确认MOS测试结果是正常的话，按照如下几点分析MOS低分原因：

两个MOS打分点间隔为15秒，如果出现一个MOS低分打点，分析数据为该MOS低分的前15秒数据：

1、频繁切换对MOS低分的影响：
如果在MOS打点的前15秒内，主叫侧或被叫侧出现两次或以上的切换次数的话，就可能对MOS分造成严重影响。将MOS评分打点和切换事件打在图上，对存在频繁切换路段进行重点优化。

2、RSRP低对MOS分影响：
如果主叫侧或被叫侧RSRP低于-110dBm的话，会对MOS分造成影响，需要对RSRP低于-110dBm弱覆盖点进行优化

3、SINR值低对MOS分影响：
如果MOS打点前15秒内主叫或被叫多个采样点SINR值在0以下，会对MOS分造成影响，需要对SINR值低于0的路段进行重点优化。

4、占用2G对MOS分的影响：
如果主叫或被叫任意一侧占用2G的话，因2G侧采用的语音编码速率较低，会对MOS分产生严重影响。需要分析终端占用2G的原因。如果终端是CSFB到2G的问题的话，则说明呼叫建立存在问题，分析为什么呼叫建立不成功。如果是因弱覆盖导致ESRVCC或重定向到2G的话，分析为什么存在弱覆盖，给出解决措施。

5、RRC中断对MOS分的影响：
如果在MOS评估的15秒中内，RRC异常中断（终端收到RRC CONNECTION RELEASE或终端发送RRC Connection Request、RRC Connection ReestablishmentRequest），会对MOS分产生严重影响

RRC中断可能产生的原因如下：
a. 弱覆盖或SINR值低导致终端失步，发生RRC重建。
b. 切换失败导致终端RRC重建。
c. QCI1承载被核心网异常去激活。
d. 其它原因导致RRC异常释放。

可将切换失败、RRC重建、掉话等异常事件打在MOS分布图上，针对出现切换失败、掉话、RRC重建等影响MOS分问题进行重点分析